因 AI 需求旺盛，三星率先推出 12-stack HBM3E DRAM

三星公司在周二宣布，他们成功研发了业界首款 12 层 HBM3E DRAM，使其成为迄今容量最大的高带宽内存产品。这家韩国科技巨头表示，新型 HBM3E 12H DRAM 的最大带宽达到了 1280GB/s，容量为 36GB。与之前的 8 层 HBM3 相比，带宽和容量均提升了 50%。

HBM 是由多个垂直堆叠的 DRAM 模块组成的，每个模块称为堆栈或层。以三星最新的产品为例，每个 DRAM 模块的容量为 24G比特（Gb），相当于 3G字节（GB），共有十二层。目前，内存制造商三星、SK 海力士和美光正在竞相增加堆叠数量，同时限制堆叠高度，以使芯片尽可能薄并具有更大的容量。

据三星公司称，他们采用先进的热压非导电薄膜（TC NCF），使得 12 层 HBM3E 与 8 层 HBM3E 具有相同的高度，以满足封装要求。这种薄膜比以前使用的薄膜更薄，消除了堆叠之间的空隙，堆叠之间的间隙减小到 7 微米，从而使得 12 层 HBM3E 的垂直密度比 8 层 HBM3 提高了 20% 以上。此外，三星表示，TC NCF 还允许使用小凸块和大凸块，在芯片键合过程中，小凸块用于信号区域，大凸块用于需要散热的地方。

这家科技巨头表示，HBM3E 12H 更高的性能和容量将有助于客户降低数据中心的总拥有成本。据三星称，与 HBM3 8H 相比，人工智能应用的训练速度平均提高了 34%，同时推理服务的用户数量也可提高 11.5 倍。三星已经向客户提供了 HBM3E 12H 的样品，并计划在今年上半年开始量产。