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新しい量子メカニズムが巨大磁気抵抗材料の挙動を説明

新しい理論的メカニズムが、量子スピン効果と多軌道物理学によって説明される巨大磁気抵抗材料の挙動を明らかにし、これまで重要視されていなかった相互作用が影響している可能性を示唆。

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量子ダブル交換フェロ磁性体に関する新たな理論的な発見が、これらの材料が示す巨大磁気抵抗(GMR)の挙動に新たな解釈を提供しています。従来、これらの材料の挙動は格子振動によって説明されていましたが、今回の研究により、その挙動は量子スピン効果と多軌道物理学によるものだとすることが示されました。この結果は、これらの技術的に重要な材料に関する新たな洞察をもたらし、今後の研究において重要な影響を与える可能性があります。

量子ダブル交換フェロ磁性体は、1980年代後半にアルベール・フェルトとペーター・グリュンベルクによって発見された巨大磁気抵抗現象で注目を集めました。この現象は、外部磁場の強さによって電気抵抗が大きく変化するというもので、現代のハードディスクドライブの記憶容量の飛躍的な増加に貢献しました。この発見により、フェルトとグリュンベルクは2007年にノーベル賞を受賞しています。